一年半之前，三星發布了旗下首款消費級QLC閃存SSD 860 QVO，現在第二帶來了，它就是870 QVO。

雖然很多人對于QLC閃存非常抗拒，但正如之前的TLC，這是不可逆轉的趨勢，只能慢慢接受，當然廠商在涉及產品的時候也會有相應的權衡，比如QLC閃存初期就不會用于高性能NVMe SSD，而是主打主流大容量，三星870 QVO就是SATA SSD，而且首次做到了8TB。

870 QVO的誠意還是滿滿的，比如V-NAND閃存從64層升級到92層，單Die容量1Tb，只需八顆就能組成一顆1TB容量的閃存芯片，同時主控也從MJX升級到MKX，不過并未公布任何技術更新、固件變化，相信只是一次小更新。

下邊先看看拆解圖，再了解一下性能，尤其是緩存之外的寫入性能。

左右分別是4TB、1TB的電路板正反面。很顯然，1TB、2TB只需一顆和兩顆閃存芯片，再加一顆主控、一顆緩存就搞定了，所以PCB非常短小精悍，1TB的留了個空焊位。4TB的正反各兩顆閃存芯片，補上四個空焊位那就是8TB。

即便是4TB、8TB的電路板，放在標準的2.5寸盤體內，也是很小巧。

這是三星MKX主控和LPDDR4緩存。

870 QVO系列的詳細規格，1/2/4/8TB型號分別搭配1/2/4/8GB LPDDR4緩存，同時還設置了SLC緩存以提升性能，2/4/8TB的都有78GB，1TB則只有42GB。

在寫入的時候，一旦用完這些SLC緩存容量，就會回歸到QLC的本質，性能自然大大降低，1TB的落差尤其巨大。

根據官方數據，870 QVO系列的持續讀取速度都是560MB/s，SLC緩存下的持續寫入都是530MB/s，但是QLC閃存下，2/4/8TB型號的持續寫入會降至160MB/s，1TB的更是只有80MB/s。

隨機性能方面，1TB的讀取也不受影響，但是寫入損失比較大，尤其是QD32隊列深度的時候，隨機讀寫會分別降低40％、48％。

壽命上倒是保持一致，都是每天0.33次全盤寫入，質保五年，最大寫入量360TB、720TB、1440TB、2880TB，而一般的消費級QLC SSD只有每天0.1-0.15次，即便是五年質保寫入量也不如870 QVO。

AnandTech已經對870 QVO進行了詳細的測試，其他沒什么意外，這里只看看緩存內外的寫入情況。

QD32隊列深度，128KB數據塊，緩存內持續寫入速度都可以達到標稱的530MB/s左右，而在緩存耗盡之后，速度瞬間就跌了下來，1TB 80MB/s左右，4TB 164MB/s左右，同樣完美符合標稱。

好消息是，緩存耗盡之后，寫入速度一直非常穩定，直到完全填滿都沒有再變化。