據 BusinessKorea 的報道，三星已經設定了目標，即在今年 6 月前完成 11 納米的第六代 1c DRAM 芯片的開發。據說該公司已經要求其研究人員停止或跳過 1b DRAM 的開發，這是一種 12 納米芯片。

　　此前有消息稱，三星已經中斷了 12-13nm 工藝級別內存研發，表示三星 13nm 級別的內存被間接承認失敗。

　　報道稱，三星希望擴大與競爭對手的技術差距，這些競爭對手包括 SK 海力士和美光科技。此外，這并不是三星第一次放棄 DRAM 的某些開發階段而向更高層次發展。此前，三星放棄了 28 納米 DRAM 的大規模生產，專注于生產 25 納米 DRAM。

　　業內專家認為，對三星來說，生產 11 納米 DRAM 并不是一件容易的事，因為這需要先進的技術。然而，據 BusinessKorea 報道，三星希望找到一種方法，該公司在 1c DRAM 完成之前面臨著巨大的開發壓力，因為其在 1a DRAM 的量產方面落后于其兩個競爭對手。

　　內存工藝在 20nm 節點之后就有不同斷代方法，之前用的是 1x、1y、1z，后來又有了 1a、1b、1c 工藝，不過三星、SK 海力士及美光三大內存巨頭的實際工藝也不完全是這樣，有時公布的還是數字 + nm 命名。

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