長江存儲旗下日前推出了自有品牌致鈦科技的SSD硬盤，SATA及M.2接口涵蓋市場上的主流，這也意味著長江存儲的閃存市場布局再進一步。

長江存儲主要研發(fā)、生產(chǎn)閃存，離不開跟主控廠商的合作，在這方面長江存儲已經(jīng)得到了群聯(lián)、慧榮、聯(lián)蕓、憶芯等國內(nèi)外廠商的支持。

今天慧榮科技與長江存儲聯(lián)合宣布，旗下的閃存主控已經(jīng)全面支持長江存儲的Xtacking 3D NAND閃存，包括今年4月份才宣布的128層QLC閃存在內(nèi)。

慧榮科技全系列主控芯片支持長江存儲Xtacking 3D NAND，產(chǎn)品包括：

應(yīng)用于企業(yè)級/數(shù)據(jù)中心及個人電腦的SSD主控芯片

·SATA 6Gb/s SSD主控芯片

·PCIe Gen4 x4 NVMe 1.4 SSD主控芯片

·PCIe Gen3 x4 NVMe 1.3 SSD主控芯片

·USB 3.1 / USB 2.0主控芯片

應(yīng)用于移動設(shè)備的eMMC/UFS主控芯片

·高速隨機讀寫效能的單信道eMMC 5.1主控芯片

·UFS 3.1主控芯片應(yīng)用于嵌入式UFS，uMCP及UFS卡

在這些產(chǎn)品中，除了PCIe 3.0的主控之外，還有新一代的PCIe 4.0主控，預(yù)計過不了多久Xtacking 3D NAND+PCIe 4.0的國產(chǎn)SSD就要問世了。

Xtacking閃存是長江存儲自己研發(fā)的3D閃存架構(gòu)，從2014年開始啟動研發(fā)，最終在2018年研發(fā)成功。

與傳統(tǒng)閃存相比，Xtacking可在兩片獨立的晶圓上分開加工負責(zé)I/O傳輸及記憶單元的電路，并通過成熟的Xtacking工藝進行晶圓鍵合，合二為一。

這種架構(gòu)可以帶來更先進的制造工藝，降低制造工序的復(fù)雜度,從而以讓NAND獲取更高的I/O傳輸速度，更高的密度，及更小的芯片面積。

在目前使用的第一代Xtacking架構(gòu)中，IO速度可達800Mbps，是業(yè)界水平的2倍，存儲密度是業(yè)界水平的5倍。

去我那5月份，長江存儲宣布推出Xtacking 2.0技術(shù)，將Xtacking閃存的性能再次推向巔峰，與業(yè)界1.0-1.4Gbps的IO接口速度相比，Xtacking 2.0有望將NAND IO速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。這對NAND行業(yè)來講將是顛覆性的。